Tendrán mejor rendimiento que los dispositivos de estado sólido (SSD) corrientes, con un espacio inferior a las tarjetas micro SD actuales.

Diario TI 29/02/16 7:33:48
En caso de hacer efectivo su anuncio, Samsung podría convertirse en la primera empresa del mundo en iniciar la producción en masa de memorias flash de 256 GB para smartphones. Esto significa que la próxima generación de sus modelos de gama alta  contaría con el mismo espacio de almacenamiento que actualmente ofrecen los fabricantes de laptops  en modelos con SSD. Un elemento fundamental del anuncio es que la capacidad de almacenamiento aumentará sin que sea necesario incrementar el espacio físico en el teléfono.

Las nuevas memorias están basadas en el estándar Universal Flash Storage 2.0 (UFS), que según Samsung  habilita velocidades que exceden los SSD corrientes para computadoras.

Las tarjetas se basan en la tecnología flash V-NAND de Samsung y un controlador integrado especial, con capacidad para gestionar hasta 45.000 operaciones aleatorias I/O de lectura, y 45.000 para escritura. Esta capacidad supera en más de 100% las unidades de 128 GB lanzadas por Samsung hace un año.

Las nuevas memorias también mejoran su capacidad de lectura y escritura secuencial. Dos pistas paralelas procuran que la velocidad de lectura alcance actualmente los 850 Mbps. la velocidad de escritura es considerablemente más reducida, con 260 Mbps.

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