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Autor Tema: La nueva tecnología de Samsung hará SSD QLC 3 veces más rápidos  (Leído 497 veces)
El_Andaluz
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La nueva tecnología de Samsung hará SSD QLC 3 veces más rápidos
« en: 22 Noviembre 2021, 23:30 pm »



Los Samsung Tech Days no solo nos han traído novedades sobre los futuros estándares de memoria RAM, sino que también han hablado de su memoria NAND Flash, en concreto de su V7 QLC con la cual esperan mejorar el rendimiento de los SSD NVMe y SATA que utilicen 4 bits por celda para el almacenamiento. ¿Cuál es su rendimiento y qué novedades aporta?

No hay duda que el gran desafío que tiene el uso de RAM no volátil para el almacenamiento es precisamente el coste por bit almacenado, el cual es mucho más alto que los discos duros convencionales e impide su transición. Aunque los chips con 5 bits por celda están en el mapa de ruta, por el momento lo máximo que se ha conseguido es llegar a la memoria QLC con 4.

Pues bien, Samsung en su Tech Days 2021 ha presentado su nueva memoria NAND Flash para ordenadores domésticos, la cual veremos instalada dentro de los SSD en un futuro cercano. Veamos por tanto cuál es su rendimiento.




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