artículo de Dani Mora publicado el 30 de septiembre de 2011

Como es normal, en algún momento llegaremos al límite del tipo de memoria RAM que usamos actualmente. Ya sea por temperatura o por consumo llegará el día en que no nos sea suficiente.
 Pues bien, un equipo de la universidad de Purdue ha desarrollado lo que llaman memoria FetRAM. Este memoria está hecha de material ferroeléctrico, que almacena la información leyendo la polaridad cambiante de los transistores ferroeléctricos creados, combinando nanocables de silicio con un polímero ferroeléctrico.

Lo que de verdad nos interesa es que todo son ventajas: Pueden mantener la información durante años, permiten innumerables ciclos de escritura y lectura, son más veloces en general, y son capaces de consumir un 99% menos que los chips de memoria flash.

Desde luego es un buen paso para la mejora sustancial de nuestras memorias pero seguramente no veremos algo así a la venta hasta dentro de bastante tiempo.