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Tema: Duda sobre especificaciones Transistor NPN 2N3904 (Leído 16,259 veces)
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Debci
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Buenas a todos, he adquirido un paquete con ciertos componentes electronicos para la etapa de potencia de un robot volador. Tengo en concreto un Transistor NPN, del cual no entiendo las especificaciones, pues tengo los siguientes datos: VCBO Collector-Base Voltage (IE = 0) 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage (IB = 0) 40 V VEBO Emitter-Base Voltage (IC = 0) 6 V IC Collector Current 200 mA Ptot Total Dissipation at TC = 25 oC 625 mW Tstg Storage Temperature -65 to 150 oC Tj Max. Operating Junction Temperature 150 oC No entiendo exactamente a que se refiere con collector-base voltage y collector emiter, tengo una idea, pero estoy acostumbrado a que me den una intensidad o un voltaje para los mosfte y me digan con tanto estimulas el base y el colector transmite al emisor y asi amplificas corrientes, no estoy muy hecho a consultar datasheet. Si alguien me lo puede aclarar, se lo agradeceria. Saludos y gracias
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cbug
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VCBO Collector-Base Voltage (IE = 0) 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage (IB = 0) 40 V VEBO Emitter-Base Voltage (IC = 0) 6 V Son los voltajes máximos entre las uniones NPN. Los transistores al tener capas unidas entre sí, generan un voltaje mínimo entre b-c, c-e, e-b, por lo que tendrán también sus respectivos voltajes máximos expuestos en el datasheet. pero estoy acostumbrado a que me den una intensidad o un voltaje para los mosfte y me digan con tanto estimulas el base y el colector transmite al emisor y asi amplificas corrientes Fijate que un mosfet no es lo mismo que un transistor NPN, y son utilizados para eliminar ruidos de alta frecuencia. No te acostumbres a esto, ya que los transistores NPN generalmente son utilizados con un fin de control sobre la corriente, y tienen por detrás toda una teoría de cálculo.
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« Última modificación: 27 Junio 2010, 19:57 pm por cbug »
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Mr.Blue
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basicamente como dijeron arriba, son las tenciones maximas entres NPN Para tener una tencion de disparo en el emisor tenes que tener una tencion entre la base y el coletor. Perdon la imagen es media grande Ahi podes observar como es el funcionamento VEBO Emitter-Base Voltage (IC = 0) 6 V Puede ser que aya algo mal aca? No sera BE? Entre BE hay una caida de tencion de 0,7v
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« Última modificación: 28 Junio 2010, 05:47 am por Sr.Blanco »
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cbug
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VCBO Collector-Base Voltage (IE = 0) 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage (IB = 0) 40 V VEBO Emitter-Base Voltage (IC = 0) 6 V Son los voltajes máximos entre las uniones NPN.
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Debci
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Bien, mas o menos he comprendido, en este caso cuanta intensidad haria falta? Porque me dan voltaje, no Intensidad, para estimular el base.
Saludos
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Mr.Blue
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Faltarian datos para calcular que intencidad necesitas, la fuente de alimentacion cual es? pila, fuente, bateria? que voltaje? En concreto esas especificaciones, son las tenciones (v); la corriente (intencidad I), oscea el amperaje, se calcula por ley de ohm I=V/R donde R es la resistencia que posea. por lo que veo la intenciadad es minima (osea no necesitas mucha intencidad para estimular el disparo) lo que influye mas es la tencion (V). PD: por lo que veo, me refiero en las especificaciones del transistor IE+IB+IC=0 PD2: El Trancistor que pones es un amplificador de potencia PD3: Para una pequeña tensión de entrada, se obtiene una elevada tensión de salida. Para una pequeña corriente de entrada, se obtiene una elevada corriente de salida. Para una pequeña potencia de entrada, se obtiene una elevada potencia de salida. Te dejo un link a un PDF que por ahi te sea de interes http://fisica.usach.cl/~weblab/Documentos/fisica/acdc/Transistores1.pdf
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« Última modificación: 28 Junio 2010, 19:41 pm por Sr.Blanco »
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Debci
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Faltarian datos para calcular que intencidad necesitas, la fuente de alimentacion cual es? pila, fuente, bateria? que voltaje? En concreto esas especificaciones, son las tenciones (v); la corriente (intencidad I), oscea el amperaje, se calcula por ley de ohm I=V/R donde R es la resistencia que posea. por lo que veo la intenciadad es minima (osea no necesitas mucha intencidad para estimular el disparo) lo que influye mas es la tencion (V). PD: por lo que veo, me refiero en las especificaciones del transistor IE+IB+IC=0 PD2: El Trancistor que pones es un amplificador de potencia PD3: Para una pequeña tensión de entrada, se obtiene una elevada tensión de salida. Para una pequeña corriente de entrada, se obtiene una elevada corriente de salida. Para una pequeña potencia de entrada, se obtiene una elevada potencia de salida. Te dejo un link a un PDF que por ahi te sea de interes http://fisica.usach.cl/~weblab/Documentos/fisica/acdc/Transistores1.pdfVale bien, ya he comprendido, gracias por su ayuda Saludos
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cbug
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Bien, mas o menos he comprendido, en este caso cuanta intensidad haria falta? Porque me dan voltaje, no Intensidad, para estimular el base.
Saludos
Para excitar el transistor en realidad es cuando consigues los 0,7V en B-E. Lo que importa aquí en un transistor NPN es la intenSidad de colector Ic. Su cálculo es normalmente fácil: Ic = B * Ib Donde B(beta) es la ganancia del transistor. Lo de la fuente de alimentación es lo de menos... Mientras sepás el voltaje y amperaje máximo, tranquilamente podrás calcular tu circuito, ya que si es una pila, con un driver podrás administrar tranquilamente para tu transistor de potencia.
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Debci
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Y si quiero sacar la Ib para cierta In en Ic por ejemplo?
Saludos
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cbug
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