Un transistor de efecto campo (FET, por Field-Effect Transistor) usa un campo eléctrico en el terminal de puerta para controlar la conductividad en un canal entre los terminales drenador y fuente. Los transistores basados en una sola molécula suelen carecer de terminal de puerta. Se publica en Nature Physics un nuevo diseño de transistor basado en una sola molécula que incorpora un terminal de puerta (un hexágono de átomos de indio que rodea a una molécula de ftalocianina o de ftalocianina de cobre). Gracias a este terminal se controla la conductancia por efecto túnel en la molécula.

Un trabajo básico muy interesante, pero de poco interés práctico. Que nadie sueñe con dispositivos electrónicos comerciales basados en esta tecnología tan alejada de la actual. Los transistores con canal de 14 nm serán reemplazado en menos de un lustro por los de 10 nm y en menos de una década por los de 7 nm, ambas tecnologías ya demostradas en laboratorio. Los transistores de una sola molécula, si alguna vez llegan al mercado, lo harían en la segunda mitad del siglo XXI.

Lo importante que le debe quedar al lector sobre este tipo de avances es que ofrece nuevas vías para estudiar los procesos implicados en el flujo de corriente a través de moléculas individuales. Muchos detalles de estos procesos en moléculas orgánicas omo la H2Pc o la CuPc todavía reservan sorpresas. El estudio de estos procesos es muy interesante y puede llevar a aplicaciones muy interesantes. Pero como transistores para futuros ordenadores yo no lo veo nada claro.

Igual, el desarrollo de software no está a la par con el desarrollo de hardware. Van mucho más adelantados. La tecnología puede llegar a un tope, pero para que los ingenieros lleguen a usar el limite de las capacidades de ese hardware, nos va a tomar un tiempo.