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Título: Nueva memoria DDR4 más rápida gracias a los 10 nanómetros Publicado por: wolfbcn en 5 Abril 2016, 15:12 pm Samsung ha marcado un nuevo hito al iniciar la producción masiva de su nueva memoria DDR4 DRAM que utilizará un proceso de 10 nanómetros en su construcción. Los coreanos ofrecerán así un rendimiento superior en ordenadores y servidores, con mayor tasa de transferencia de datos y un consumo de memoria muy inferior a la memoria que podíamos encontrar hasta este momento.
Samsung ha anunciado en su blog oficial el inicio de la producción en masa de los primeros módulos de memoria DDR4 DRAM de 8GB. De esta forma, los ordenadores, tabletas, híbridos y servidores, podrán beneficiarse pronto de un mejor rendimiento gracias a esta nueva memoria. La compañía coreana, líder en su sector, afirma que este nuevo proceso mejora el producto final haciendo que sea más rápido y energéticamente más eficiente que la memoria construida utilizando el “viejo” proceso de 20 nanómetros. LEER MAS: http://www.adslzone.net/2016/04/05/nueva-memoria-ddr4-mas-rapida-gracias-los-10-nanometros/ |